西藏电源模块

晶闸管诞生后，其结构的改进和工艺的改进，为新器件的不断出现提供了条件。1964年，双向晶闸管在GE公司开发成功，应用于调光和马达控制；1965年，小功率光触发晶闸管出现，为其后出现的光耦合器打下了基础；60年代后期，大功率逆变晶闸管问世，成为当时逆变电路的基本元件；1974年，逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。普通晶闸广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域，运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过，这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。双向晶闸可视为一对反并联的普通晶闸管的集成，常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通，因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长，其水平已超过2000V/500A。在IGBT使用中可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压的大小从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。西藏电源模块

背景技术：目前，国外标准型的igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上；igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上越来越多见。然而，这种igbt模块的成本较高，严重制约了国内变流技术领域的发展。为了解决国外标准型igbt模块成本较高的问题，目前国内出现了一种将igbt单管并联后形成igbt模块的方案，这种igbt模块与国外相同技术参数规格下的标准型igbt模块相比，成本要低15％～20％，进而能够促进国内变流技术领域的发展；但是，这种igbt模块中的各igbt单管一般由螺钉固定在安装板上，这就降低了igbt模块的生产效率。天津智能模块成本价非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。

可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea 极性反接，BG1 、BG2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea 接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。   可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。

虽然在模块内部已对外部的电压噪声采取了相应的措施，但是由于噪声的种类和强度不同，加之也不可能完全避免误动作或损坏等情况，因此需要对交流进线加滤波器，并采用绝缘方式接地，同时应在每相的输入信号与地(GND)间并联 l000pF的吸收电容。(1)光电耦合器控制 电路  控制电路主要针对的是单片机控制系统的弱电控制部分，由于IPM模块要直接和配电系统连接，因此，必须利用隔离器件将IPM模块和控制部分的弱电电路隔离开来，以保护单片机控制系统。IGBT模块又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性.

尽管我国拥有比较大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等器件差距更加明显。技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、三菱和富士电机等国际厂商占有的市场优势。形成这种局面的原因主要是：1、国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的壁垒。2、国外制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。总的来说，在技术差距方面有：高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强；IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业**技术仍掌握在发达国家企业手中。近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，IGBT国产化的进程加快，有望摆脱进口依赖。受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施，I希望国产IGBT企业能从中崛起。IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。天津智能模块成本价

晶闸管诞生后，其结构的改进和工艺的改进，为新器件的不断出现提供了条件。西藏电源模块

图1 光电耦合器驱动电路  推荐使用的光电耦合器有： HCPI,-4505、HCPL-4506、TI.P759 (IGM)、TLP755 等。一般情况下，光电耦合器要符合UI。、VDE 等安全认证。同时比较好使光电耦合器和IGBT控制端子间的布线尽量短。由于光电耦合器两端间常加有大的du/出，因此，光电耦合器两端的布线不要太靠近以减小其间的耦合电容。在使用15V的直流电源组件时，电源输出侧的GND端子不要互联，并尽量减少各电源与地间的杂散电容，同时还应当确保足够大的绝缘距离（大于2mm)。光电耦合器输入用的10μF及0.1μF滤波电容主要用于保持控制 电压平稳和使线路阻抗稳定。控制信号输入端与Vcc端应接20kΩ的上拉电阻，在不使用制动单元时，也应该在DB输人端与Vcc端之间接20Ω的上拉电阻，否则，du/dt过大，可能会引起误动作。  西藏电源模块

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